Mikroskop jonowy Hitachi FB-2100

Dane techniczne
  • FIB rozdzielczość: 6 nm przy napięciu 40 kV
  • Możliwe napięcia przyspieszające od 10 do 40 kV.
  • Źródło jonów: Ga
  • Powiększenie od 700x do 200,000x
  • Maksymalny prąd wiązki  40 nA przy 40 kV
  • Możliwość wycinania z dużych elementów: do 100 mm
  • Możliwość napylania W
  • System przenoszenia małych próbek
Osoba do kontaktu dr inż. Tomasz Płociński
Zakład Zakład Projektowania Materiałów
Lokalizacja na Wydziale Gmach Nowy Technologiczny, ul. Narbutta 85, p. 12